半导体器件物理与工艺(第三版)
内容简介:
《半导体器件物理与工艺(第三版)》分三大部分:第一部分“半导体物理”主要描述半导体的基本特性和它的传导过程,尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的半导体材料上。第二部分“半导体器件”讨论所有主要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始,接下来讨论双极型和场效应器件,最后讨论微波、量子效应、热电子和光电子器件。第三部分“半导体工艺”介绍从晶体生长到掺杂等工艺技术。
作者:(美国)施敏 译者:王明湘 赵鹤鸣
施敏,获斯坦福大学电气工程专业博士学位,1963—1989年在贝尔实验室工作,1990年起在台湾新竹交通大学(NCTU)电子工程系任教,施教博士现在为NCTU的讲座教授和斯坦福大学的顾问教授,并担任多所院校及研完机构的客座教授,他对半导体器件有着基础性和先驱性的贡献,特别重要的是他合作发明了非挥发存储器,如闪存和EEPROM。施敏博士已经作为作者和合作作者发表学术论文200余篇、专著12部,他的《半导体器件物理》(Wiley出版)一书是同时代工程令应用科学出版物中被引用最多的著作(由ISI统计,引用超过15000条)。施敏博士获得过多项奖励,为IEEE的终身会士、台湾中央研究院院士和美国国家工程院院士。
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